PresseKat - PVA TePla AG: baSiC-T: Neue Anlagengeneration - Siliziumcarbid (SiC)-Kristalle für die Massenproduk

(firmenpresse) - (DGAP-Media / 01.10.2013 / 08:00)

- SiC für die Hochleistungselektronik
- Erfolgreicher Einsatz in der industriellen Produktion
- Hohe Automatisierung für Massenproduktion
- Niedrige Betriebskosten

SiC für Hochleistungselektronik

SiC- Kristalle werden in erster Linie von Kunden aus Hochtechnologiemärkten
be-nötigt. Typische Anwendungsbereiche sind die Hochleistungselektronik -
wie sie z.B. in Hybrid- und Elektroautos, Klimaanlagen, bei LED-Anwendungen
und bei Wechselrichtern für die Photovoltaik zum Einsatz kommen. Der große
Vorteil des Siliziumcarbid-Materials liegt in dem enormen
Energiesparpotential vonüber 40% im Vergleich zu herkömmlichen
Silizium-Bauelementen. Hinzu ergeben sich in der Zukunft völlig neue
Perspektiven in der Halbleiterindustrie durch die Einsatzmöglichkeiten auch
bei hohen Temperaturen und hohen Spannungenüber 10.000 Volt, was weitüber
das Potential des heute zur Anwendung kommenden Siliziums hinausgeht.

Modularer Aufbau und hoher Automatisierungsgrad

Das Design der neuartigen Kristallisationsanlage 'baSiC-T' basiert auf
einem modularen Konzept und erlaubt die Verwendung von Substraten bis zu
einem Durchmesser von 150mm. Niedrige Betriebskosten und hoher
Automatisierungsgrad der 'baSiC-T' ermöglichen die kostengünstige
Massenproduktion von Siliziumcarbid.

Erfolgreicher Einsatz in der industriellen Produktion

Anlagen zur Herstellung von SiC-Kristallen sind bereits an mehrere Kunden
in Europa und Asien ausgeliefert und erfolgreich abgenommen worden, wobei
die hervorragende Performance der Anlagen unter Beweis gestellt worden ist.
Nähere Angaben zur baSiC-T finden Sie unter folgendem Link:

http://www.pvatepla.com/produkte/kristallzuchtanlagen/pva/sic-htcvdhtcvt/t
yp-basic-t

PVA TePla im Bereich Leistungselektronik

Neben der baSiC-T werden bereits eine Reihe weiterer Anlagen der PVA TePla

im Bereich Leistungselektronik verwendet. Die SiCube ist eine
industrieerprobte Anlage zur SiC-Volumenkristallproduktion mittels PVT und
HTCVD. Unsere Floatzone- (FZ35) und Czochralski-Anlagen (EKZ Systeme)
werden zur Kristallisation von hochreinem Silizium eingesetzt. Das Recyling
von Suszeptoren nach GaN Epitaxyprozessen wird in speziellen PVA TePla -
Vakuumanlagen durchgeführt. Verschiedene innovative Metrologie-Technologien
für eine zerstörungsfreie Qualitätskontrolle stehen ergänzend zur
Verfügung.

Weitere Informationen erhalten Sie bei:

Dr. Gert Fisahn
Investor Relations
PVA TePla AG
Phone: +49(0)641/68690-400
gert.fisahn(at)pvatepla.com
www.pvatepla.com

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Emittent/Herausgeber: PVA TePla AG
Schlagwort(e): Industrie

01.10.2013 Veröffentlichung einer Pressemitteilung,übermittelt durch
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